- خانواده:ماژول آی جی بی تی دوبل
- تعداد پین:7
- ولتاژکاری:1200V
- جریان کاری:100A
۲,۲۱۰,۰۰۰ تومان
1 عدد در انبار
آی جی بی تی دوبل SEMIKRON IGBT 100A 1200V آی جی بی تی 1200V,10A, IGBT Modules ,SEMIKRON,2-PACK,Half Bridge ماژول 1200 ولت 100 آمپر -سمیکرون اریجینال
- جریان قابل تحمل 100 آمپر
- قابل استفاده در پو پی اس ( UPS )
- قابل استفاده در مدارات مخابراتی و انواع مدارات سوئیچینگ
- قابل استفاده در اینورترهای خورشیدی ، اینورترهای جوشکاری
آی جی بی تی دوبل SEMIKRON IGBT 100A 1200V
«ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده» (Insulated Gate Bipolar Transistor) یا به اختصار IGBT ، قطعهای نیمهرسانا است که عملکردی بین ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) دارد.
ترانزیستور IGBT بهترین بخشهای دو ترانزیستور متداول BJT و MOSFET را در ساختار خود دارد.
در واقع، امپدانس ورودی بزرگ و سرعت سوئیچینگ بالای MOSFET و ولتاژ اشباع پایین BJT با هم ترکیب شده است و نوع دیگری ترانزیستور به نام IGBT ساخته شده که قابلیت عملکرد در مقادیر بالای جریان کلکتور-امیتر را با ولتاژ گیت تقریباً صفر دارد.
ماژول آی جی بی تی SEMIKRON ، یک IGBT دوبل با جریان قابل تحمل 100 آمپر ، 1200 ولت، ساخت شرکت SEMIKRON آلمان یا اسلواکی میباشد .
از جمله موارد مصرف آی جی بی تی SEMIKRON می توان موارد زیر اشاره نمود :
– استفاده در پو پی اس ( UPS )
– مدارات مخابراتی و انواع مدارات سوئیچینگ
– اینورترهای خورشیدی ، اینورترهای جوشکاری
مشخصات فنی آی جی بی تی دوبل SEMIKRON IGBT 100A 1200V
- خانواده: IGBT
- سری: IGBT Modules
- تعداد پین: 7
- پکیج: MODULE
- ولتاژکاری: 1200V
- جریان کاری: 100A
- VCE: 1200V
- VGE: ±20V
- ابعاد: 94x34x30.5mm
- دمای کاری: 175+~40-
- برند: SEMIKRON
- کشور سازنده: آلمان
- نوع مونتاژ: DIP
SKM100GB SEMIKRON
IGBTها به طور گسترده در کاربردهای الکترونیک قدرت مانند اینورترها، مبدلها و منابع تغذیه که به قطعات سوئیچینگ حالت جامد نیاز داشته و ماسفتها و BJTها در آنجا کارایی لازم را ندارند، مورد استفاده قرار میگیرند.
ترانزیستورهای دو قطبی ولتاژ بالا و جریان بالا در دسترس هستند، اما سرعت سوئیچینگ آنها پایین است.
از سوی دیگر، اگرچه سرعت سوئیچینگ ماسفتهای قدرت بیشتر است، اما قطعات ولتاژ بالا و جریان بالای آن گران هستند.
ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده، بهره توان بالاتری نسبت به ترانزیستور دو قطبی استاندارد دارد.
همچنین قابلیت عملکرد در ولتاژ بالاتر و تلفات ورودی پایینتر را دارا است. از دیدگاه عملکردی، IGBT یک FET است که با ترانزیستور دو قطبی ترکیب شده و پیکربندی دارلینگتون را تشکیل داده است.
شکل زیر این موضوع را نشان میدهد.
آی جی بی تی دوبل 100A 1200V
آی جی بی تی ال اس (IGBT SEMIKRON)
شرکت سمیکرون از سال 1951 فعالیت خود را در زمینه تولید ماژولها و سیستمهای اولیه توان همچون انواع پل دیود، دیود پیچی، دیود دیسکی، دیود دوبل، تریستور دیسکی، تریستور پیچی، دوبل تریستور، ماژول دیود-تریستور، آی جی بی تی ، درایو آی جی بی تی و … آغاز نموده و در حال حاضر به فروش جهانی قابل توجهی نایل آمده است.
تمامی این نیمههادیها برای صنایع نفت، گاز ، پتروشیمی، ذوب، نورد، کوره القایی، پروفیل سازی، آلومینیوم سازی، تولیدکنندگان صنعتی همچون: تابلو برق، باتری شارژی، اینورتر، UPS، تولیدکنندگان موتور و ژنراتور و صنعت خودرو سازی کاربرد دارد.
آی جی بی تی دوبل SEMIKRON
خرید آی جی بی تی دوبل SEMIKRON IGBT 100A 1200V
برای خرید آنلاین انواع قطعات الکترونیکی و IGBT دوبل و همچنین اطلاع از آخرین قیمت آی جی بی تی دوبل SEMIKRON IGBT 100A 1200V میتوانید به فروشگاه اینترنتی ولدپارت مراجعه کنید. این فروشگاه مجموعهای از جدیدترین و به روزترین تجهیزات الکترونیکی موجود در بازار از جمله آی جی بی تی دوبل سمیکرون را گردآوری کرده است.
مشخصات آی جی بی تی دوبل SEMIKRON IGBT 100A 1200V
-
ابعاد
94x34x30.5mm
- سازنده
- گارانتی
-
خانواده
ماژول IGBT
-
سری
IGBT Transistors
-
تعداد پین
7
-
جریان کاری
100A
-
ولتاژ کاری
1200V
-
دمای کاری
175+~40-
-
کشور سازنده
آلمان
-
وزن کالا (گرم)
7
شما هم درباره این کالا پرسش ثبت کنید