ماسفت اینفینیون IR MOSFET IRFZ24N

ماسفت اینفینیون IR MOSFET IRFZ24N

ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیم‌رسانا اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor) یا ماسفِت (اختصاری MOSFET) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است.

اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند. دلیل این نام‌گذاری این است که در ساختمان این ترانزیستور، یک لایهٔ اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایهٔ گِیت قرار گرفته‌است

ترانزیستور اینفینیون  IRFZ24N ، یک ماسفت N-CHANNEL با جریان قابل تحمل 20 آمپر ، 500 ولت ، ساخت شرکت اینفینیون (INFINEON) میباشد .

از جمله موارد مصرف ماسفت INFINEON IRFZ24N می توان موارد زیر اشاره نمود :

– استفاده در پو پی اس ( UPS )
– مدارات مخابراتی و انواع مدارات سوئیچینگ
– اینورترهای خورشیدی ، اینورترهای جوشکاری
– مهمترین کاربرد ماسفت ها در سوییچینگ جریان های بالا و راه اندازی المان های توان بالا می باشد .
– استفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش ماسفتی 12 ماسفت 16 و 20 ماسفتی
– برد بالایی دستگاه جوش اینورتری

مشخصات فنی ماسفت اینفینیون IR MOSFET IRFZ24N

• خانواده: ماسفت
• سری: MOSFET-Transistors
• تعداد پین: 3
• پکیج: TO-220
• ولتاژکاری: 55V
• جریان کاری: 17A
• نوع کانال: N-CHANNEL
• VDS-VDSS: 55V
• VGS-VGSS: ±20V
• VGS(th): 2-4V
• ID(25°C): 17A
• ID(HIGH TEMP): 12A
• IDM-IDP: 68A
• PD(TA=25°C): 3.8W
• PD(TC=25°C): 45W
• RDS(on): 0.07Ω
• td(ON): 4.9ns
• tr: 34ns
• td(off): 19ns
• Trr: 56-83ns
• MOSFET PACK: 1
• ابعاد: 10.54×10.24×4.69mm
• دمای کاری: 175+~55-
• برند: Infineon
• کشور سازنده: فلیپین
• کیفیت: اورجینال IR اینفینیون
• نوع مونتاژ:  DIP

این گونه از ترانزیستور (ماسفت IRFZ24N) اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۶میلادی معرفی شد.

در آن هنگام، ساخت و به‌کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند.

در آغازِ دههٔ ۷۰، بارِ دیگر نگاه‌ها به ماسفت‌ها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه‌پایه به نام‌های گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌گیرند.
در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی‌کشد، و چنان‌که از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیم‌رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود.

از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می‌شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد.

عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده‌است.

ماسفت IR IRFZ24N

به این دلیل به ماسفت‌ها، فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ماسفت را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.

همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم‌اکنون بیش از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، کانال N یا کانال P نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، کانال P ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود.

اما از آن جا که ساختنِ کانال N آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از کانال P پیشی گرفت.

بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای ماسفت، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

ماسفت اینفینیون IRFZ24N

رشد فناوری‌های دیجیتال انگیزه پیشبرد فناوری ماسفت را بیش از هر نوع دیگری از ترانزیستور پایه سیلیکون فراهم کرده‌است.

یک مزیت بزرگ MOSFET Transistors برای سوئیچینگ دیجیتال این است که لایهٔ اکسید بین گیت و کانال مانع از شارش جریان DC از طریق گیت می‌شود و همچنین اتلاف توان را می‌کاهد و امپدانس ورودی بسیار بالا را ایجاد می‌کند.

اکسید عایق بین گیت و کانال، ماسفت‌ی را که در یک مرحله منطقی است به‌طور مؤثر از مراحل قبل و بعد خود جدا می‌کند، این قابلیت اجازه می‌دهد تا خروجی یک ماسفت بتواند ورودی تعداد قابل توجهی از ماسفت‌ها باشد.

واضح است که این ویژگی چقدر کار طراحان را آسان می‌سازد تا از بعضی محدودیت‌ها صرف نظر نمایند. این حد با فرکانس عامل تعریف می‌شود: هر چه فرکانس افزایش یابد، امپدانس ورودی ماسفت‌ها کاهش می‌یابد.

مزایای ماسفت در مدارهای دیجیتال را نباید به عنوان برتری آن در مدارهای آنالوگ تفسیر نمود. دو نوع مدار بر اساس ویژگی‌های مختلف ترانزیستور رفتار می‌کنند.

ماسفت‌ها به‌طور گسترده‌ای در بسیاری از انواع مدارات آنالوگ به دلیل مزایای خاصی استفاده می‌شود.

خرید ماسفت اینفینیون IR MOSFET IRFZ24N

برای خرید آنلاین انواع قطعات الکترونیکی و ماسفت و همچنین اطلاع از آخرین قیمت ماسفت اینفینیون IR MOSFET IRFZ24N می‌توانید به فروشگاه اینترنتی ولدپارت مراجعه کنید. این فروشگاه مجموعه‌ای از جدیدترین و به روزترین تجهیزات الکترونیکی موجود در بازار از جمله ماسفت IR را گردآوری کرده است.

مشاهده محصولات مرتبط

مشاهد سایت سازنده محصول