آی جی بی تی اینفینئون Infineon IGBT K75T60

آی جی بی تی اینفینئون Infineon IGBT K75T60

«ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده» (Insulated Gate Bipolar Transistor) یا به اختصار IGBT ، قطعه‌ای نیمه‌رسانا است که عملکردی بین ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) دارد.

ترانزیستور IGBT بهترین بخش‌های دو ترانزیستور متداول BJT و MOSFET را در ساختار خود دارد.

در واقع، امپدانس ورودی بزرگ و سرعت سوئیچینگ بالای MOSFET و ولتاژ اشباع پایین BJT با هم ترکیب شده است و نوع دیگری ترانزیستور به نام IGBT ساخته شده که قابلیت عملکرد در مقادیر بالای جریان کلکتور-امیتر را با ولتاژ گیت تقریباً صفر دارد.

ترانزیستور اینفینیون  K75T60 ، یک IGBT با جریان قابل تحمل 75 آمپر ، 600 ولت ، ساخت شرکت اینفینیون (INFINEON) میباشد .

از جمله موارد مصرف آی جی بی تی INFINEON K75T60 می توان موارد زیر اشاره نمود :

– استفاده در پو پی اس ( UPS )
– مدارات مخابراتی و انواع مدارات سوئیچینگ
– اینورترهای خورشیدی ، اینورترهای جوشکاری

مشخصات فنی آی جی بی تی اینفینیون Infineon IGBT K75T60

• خانواده: IGBT
• سری: IGBT Transistors
• تعداد پین: 3
• پکیج: TO-247
• ولتاژکاری: 600V
• جریان کاری: 75A
• VCE: 600V
• IC(25°C): 80A
• IC(HIGH TEMP): 75A
• VGE: ±20V
• Ptot-PD: 428W
• VGE(th): 4.1-4.9-5.7V
• VCE(sat): 1.5-2V
• ICM-IC PULSE: 225A
• IF(25°C): 80A
• IF(HIGH TEMP): 75A
• td(ON): 33ns
• tr: 36ns
• td(off): 330ns
• Trr: 121ns
• IGBT PACK: 1
• Thermistors: –
• ابعاد: 16.21×21.17×5.57mm
• دمای کاری: 175+~40-
• برند: INFINEON
• کشور سازنده: المان
• نوع مونتاژ: DIP
• ویژگی خاص: دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا

آی جی بی تی K75T60

IGBTها به طور گسترده در کاربردهای الکترونیک قدرت مانند اینورترها، مبدل‌ها و منابع تغذیه که به قطعات سوئیچینگ حالت جامد نیاز داشته و ماسفت‌ها و BJTها در آن‌جا کارایی لازم را ندارند، مورد استفاده قرار می‌گیرند.

ترانزیستورهای دو قطبی ولتاژ بالا و جریان بالا در دسترس هستند، اما سرعت سوئیچینگ آن‌ها پایین است.

از سوی دیگر، اگرچه سرعت سوئیچینگ ماسفت‌های قدرت بیشتر است، اما قطعات ولتاژ بالا و جریان بالای آن گران هستند.

ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده، بهره توان بالاتری نسبت به ترانزیستور دو قطبی استاندارد دارد.

همچنین قابلیت عملکرد در ولتاژ بالاتر و تلفات ورودی پایین‌تر را دارا است. از دیدگاه عملکردی، IGBT یک FET است که با ترانزیستور دو قطبی ترکیب شده و پیکربندی دارلینگتون را تشکیل داده است.

شکل زیر این موضوع را نشان می‌دهد.

آی جی بی تی اینفینیون (IGBT Infineon) 

شرکت Infineon Technologies AG یک شرکت تولید کننده انواع نیمه هادی ها در کشور آلمان است.

این شرکت در سال 1999 تاسیس شد؛ زمانی که عملیات نیمه هادی شرکت مادر سابق Siemens AG آغاز شد.

Infineon حدود 47،400 کارمند دارد و یکی از 10 تولید کننده برتر در زمینه تولید انواع نیمه هادی(مثل آی جی بی تی ها) در سراسر جهان می باشد.

در سال مالی 2019، این شرکت 8 میلیارد یورو فروش داشته است که عدد اعجاب انگیزی است.

آی جی بی تی اینفینیون K75T60

خرید آی جی بی تی اینفینیون Infineon IGBT K75T60

برای خرید آنلاین انواع قطعات الکترونیکی و آی جی بی تی و همچنین اطلاع از آخرین قیمت آی جی بی تی اینفینیون Infineon IGBT K75T60 می‌توانید به فروشگاه اینترنتی ولدپارت مراجعه کنید. این فروشگاه مجموعه‌ای از جدیدترین و به روزترین تجهیزات الکترونیکی موجود در بازار از جمله آی جی بی تی اینفینیون را گردآوری کرده است.

مشاهده محصولات مرتبط

مشاهد سایت سازنده محصول