- خانواده:آی جی بی تی
- تعداد پین:3
- ولتاژکاری:600V
- جریان کاری:60A
۸۸,۵۰۰ تومان
22 عدد در انبار
آی جی بی تی SL IGBT 60N60 FD1 ای جی بی تی فست 60 آمپر 600 ولت SILAN چین/ دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا/ 600V, 60 A Field Stop IGBT
- جریان قابل تحمل 40 آمپر
- قابل استفاده در پو پی اس ( UPS )
- قابل استفاده در مدارات مخابراتی و انواع مدارات سوئیچینگ
- قابل استفاده در اینورترهای خورشیدی ، اینورترهای جوشکاری
- ستفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش
آی جی بی تی SL IGBT 60N60 FD1
«ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده» (Insulated Gate Bipolar Transistor) یا به اختصار IGBT ، قطعهای نیمهرسانا است که عملکردی بین ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) دارد.
ترانزیستور IGBT بهترین بخشهای دو ترانزیستور متداول BJT و MOSFET را در ساختار خود دارد.
در واقع، امپدانس ورودی بزرگ و سرعت سوئیچینگ بالای MOSFET و ولتاژ اشباع پایین BJT با هم ترکیب شده است و نوع دیگری ترانزیستور به نام IGBT ساخته شده که قابلیت عملکرد در مقادیر بالای جریان کلکتور-امیتر را با ولتاژ گیت تقریباً صفر دارد.
60N60FD1 یک IGBT با جریان قابل تحمل 60 آمپر ، 600 ولت ، ساخت شرکت سیلان چین (SL) میباشد .
از جمله موارد مصرف آی جی بی تی 60N60 می توان موارد زیر اشاره نمود :
- استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اس UPS و انواع اینورتر
- اینورترهای خورشیدی
- مدارات مخابراتی
- اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات فنی آی جی بی تی SL IGBT 60N60 FD1
- خانواده: IGBT
- سری: IGBT Transistors
- تعداد پین: 3
- پکیج: TO-3P
- ولتاژکاری: 600V
- جریان کاری: 60A
- VCE: 600V
- VGE: ±20V
- ابعاد:
- دمای کاری: 175+~40-
- برند: سیلان
- کشور سازنده: چین
- نوع مونتاژ: DIP
- ویژگی خاص: دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
آی جی بی تی 60N60
IGBTها به طور گسترده در کاربردهای الکترونیک قدرت مانند اینورترها، مبدلها و منابع تغذیه که به قطعات سوئیچینگ حالت جامد نیاز داشته و ماسفتها و BJTها در آنجا کارایی لازم را ندارند، مورد استفاده قرار میگیرند.
ترانزیستورهای دو قطبی ولتاژ بالا و جریان بالا در دسترس هستند، اما سرعت سوئیچینگ آنها پایین است.
از سوی دیگر، اگرچه سرعت سوئیچینگ ماسفتهای قدرت بیشتر است، اما قطعات ولتاژ بالا و جریان بالای آن گران هستند.
ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده، بهره توان بالاتری نسبت به ترانزیستور دو قطبی استاندارد دارد.
همچنین قابلیت عملکرد در ولتاژ بالاتر و تلفات ورودی پایینتر را دارا است. از دیدگاه عملکردی، IGBT یک FET است که با ترانزیستور دو قطبی ترکیب شده و پیکربندی دارلینگتون را تشکیل داده است.
شکل زیر این موضوع را نشان میدهد.
SGT60N60FD1PN
خرید آی جی بی تی SL IGBT 60N60 FD1
برای خرید آنلاین انواع قطعات الکترونیکی و آی جی بی تی و همچنین اطلاع از آخرین قیمت آی جی بی تی SL IGBT 60N60 FD1 میتوانید به فروشگاه اینترنتی ولدپارت مراجعه کنید. این فروشگاه مجموعهای از جدیدترین و به روزترین تجهیزات الکترونیکی موجود در بازار از جمله آی جی بی تی SL را گردآوری کرده است.
مشخصات آی جی بی تی SL IGBT 60N60 FD1
-
ابعاد
16.26×21.46×5.31mm
- سازنده
- گارانتی
-
خانواده
آی جی بی تی
-
سری
IGBT Transistors
-
تعداد پین
۳
-
جریان کاری
40A
-
ولتاژ کاری
600V
-
دمای کاری
175+~40-
-
کشور سازنده
چین
-
وزن کالا (گرم)
7
شما هم درباره این کالا پرسش ثبت کنید