- خانواده:آی جی بی تی
- تعداد پین:3
- ولتاژکاری:1000V
- جریان کاری:60A
۶,۷۳۰,۰۰۰ تومان
6 عدد در انبار
آی جی بی تی On IGBT 60N100 آی جی بی تی 1000V, 60 A NPT-Trench IGBT فست 60 آمپر 1000 ولت فیرچایلد ارجینال G60N100BNTD / FGL60N100BNTD (تولید مجدد با برند ON) دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
- جریان قابل تحمل 60 آمپر
- قابل استفاده در پو پی اس ( UPS )
- قابل استفاده در مدارات مخابراتی و انواع مدارات سوئیچینگ
- قابل استفاده در اینورترهای خورشیدی ، اینورترهای جوشکاری
- ستفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش
آی جی بی تی On IGBT 60N100
«ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده» (Insulated Gate Bipolar Transistor) یا به اختصار IGBT ، قطعهای نیمهرسانا است که عملکردی بین ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) دارد.
ترانزیستور IGBT بهترین بخشهای دو ترانزیستور متداول BJT و MOSFET را در ساختار خود دارد.
در واقع، امپدانس ورودی بزرگ و سرعت سوئیچینگ بالای MOSFET و ولتاژ اشباع پایین BJT با هم ترکیب شده است و نوع دیگری ترانزیستور به نام IGBT ساخته شده که قابلیت عملکرد در مقادیر بالای جریان کلکتور-امیتر را با ولتاژ گیت تقریباً صفر دارد.
این محصول یک IGBT با جریان قابل تحمل 60 آمپر ، 1000 ولت ، ساخت شرکت آن (ON) میباشد .
از جمله موارد مصرف آی جی بی تی ON 60N100 می توان موارد زیر اشاره نمود :
- استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اسUPS و انواع اینورتر
- اینورترهای خورشیدی
- مدارات مخابراتی
- اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
آی جی بی تی فیرچایلد ارجینال G60N100BNTD / FGL60N100BNTD (تولید مجدد با برند ON)
مشخصات فنی آی جی بی تی On IGBT 60N100
- خانواده: IGBT
- سری: IGBT Transistors
- تعداد پین: 3
- پکیج: TO-264
- ولتاژکاری: 1000V
- جریان کاری: 60A
- VCE: 1000V
- IC(25°C): 60A
- IC(HIGH TEMP): 42A
- VGE: ±20V
- Ptot-PD: 180W
- VGE(th): 4-5-7V
- VCE(sat): 1.5-1.8V
- ICM-IC PULSE: 120A
- IF(25°C): -A
- IF(HIGH TEMP): 15A
- td(ON): 140ns
- tr: 1.2-1.5ns
- td(off): 330ns
- Trr: 1.2-1.5ns
- IGBT PACK: 1
- Thermistors: –
- ابعاد: 20.20×26.40×5.20mm
- دمای کاری: 175+~40-
- برند: On
- کشور سازنده: اتریش
- نوع مونتاژ: DIP
- ویژگی خاص: دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
آی جی بی تی 60N100
IGBTها به طور گسترده در کاربردهای الکترونیک قدرت مانند اینورترها، مبدلها و منابع تغذیه که به قطعات سوئیچینگ حالت جامد نیاز داشته و ماسفتها و BJTها در آنجا کارایی لازم را ندارند، مورد استفاده قرار میگیرند.
ترانزیستورهای دو قطبی ولتاژ بالا و جریان بالا در دسترس هستند، اما سرعت سوئیچینگ آنها پایین است.
از سوی دیگر، اگرچه سرعت سوئیچینگ ماسفتهای قدرت بیشتر است، اما قطعات ولتاژ بالا و جریان بالای آن گران هستند.
ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده، بهره توان بالاتری نسبت به ترانزیستور دو قطبی استاندارد دارد.
همچنین قابلیت عملکرد در ولتاژ بالاتر و تلفات ورودی پایینتر را دارا است. از دیدگاه عملکردی، IGBT یک FET است که با ترانزیستور دو قطبی ترکیب شده و پیکربندی دارلینگتون را تشکیل داده است.
شکل زیر این موضوع را نشان میدهد.
آی جی بی تی 60N100
خرید آی جی بی تی On IGBT 60N100
برای خرید آنلاین انواع قطعات الکترونیکی و آی جی بی تی و همچنین اطلاع از آخرین قیمت آی جی بی تی On IGBT 60N100 میتوانید به فروشگاه اینترنتی ولدپارت مراجعه کنید. این فروشگاه مجموعهای از جدیدترین و به روزترین تجهیزات الکترونیکی موجود در بازار از جمله آی جی بی تی ON را گردآوری کرده است.
مشخصات آی جی بی تی On IGBT 60N100
-
ابعاد
20.20×26.40×5.20mm
- گارانتی
-
خانواده
آی جی بی تی
-
سری
IGBT Transistors
-
تعداد پین
۳
-
جریان کاری
60A
-
ولتاژ کاری
1000V
-
دمای کاری
175+~40-
-
کشور سازنده
آمریکا
-
وزن کالا (گرم)
7
شما هم درباره این کالا پرسش ثبت کنید