- خانواده:آی جی بی تی
- تعداد پین:3
- ولتاژکاری:600V
- جریان کاری:60A
۲۹۹,۵۰۰ تومان
60 عدد در انبار
آی جی بی تی ON IGBT FGH 60N60 SMD ای جی بی تی فست 60 آمپر 600 ولت فیرچایلد اریجینال دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
- جریان قابل تحمل 60 آمپر
- قابل استفاده در پو پی اس ( UPS )
- قابل استفاده در مدارات مخابراتی و انواع مدارات سوئیچینگ
- قابل استفاده در اینورترهای خورشیدی ، اینورترهای جوشکاری
- ستفاده بیشتر در انواع بردهای دستگاه جوش
آی جی بی تی ON IGBT FGH 60N60 SMD
«ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده» (Insulated Gate Bipolar Transistor) یا به اختصار IGBT ، قطعهای نیمهرسانا است که عملکردی بین ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) دارد.
ترانزیستور IGBT بهترین بخشهای دو ترانزیستور متداول BJT و MOSFET را در ساختار خود دارد.
در واقع، امپدانس ورودی بزرگ و سرعت سوئیچینگ بالای MOSFET و ولتاژ اشباع پایین BJT با هم ترکیب شده است و نوع دیگری ترانزیستور به نام IGBT ساخته شده که قابلیت عملکرد در مقادیر بالای جریان کلکتور-امیتر را با ولتاژ گیت تقریباً صفر دارد.
FGH60N60SMD یک IGBT با جریان قابل تحمل 60 آمپر ، 600 ولت ، ساخت شرکت آن (ON) میباشد .
از جمله موارد مصرف آی جی بی تی 60N60 می توان موارد زیر اشاره نمود :
- استفاده در انواع صنایع از جمله پو پی اس UPS و انواع اینورتر
- اینورترهای خورشیدی
- مدارات مخابراتی
- اینورترهای جوشکاری و انواع سوئیچینگ ها
مشخصات فنی آی جی بی تی ON IGBT FGH 60N60 SMD
- خانواده: IGBT
- سری: IGBT Transistors
- تعداد پین: 3
- پکیج: TO-247
- ولتاژکاری: 600V
- جریان کاری: 60A
- VCE: 600V
- IC(25°C): 120A
- IC(HIGH TEMP): 60A
- VGE: ±20V
- Ptot-PD: 180W
- VGE(th): 3.5-4.5-6V
- VCE(sat): 1.9-2.5V
- ICM-IC PULSE: 180A
- IF(25°C): 60A
- IF(HIGH TEMP): 30A
- td(ON): 18-27ns
- tr: 47-70ns
- td(off): 104-146ns
- Trr: 30-39ns
- IGBT PACK: 1
- Thermistors: –
- ابعاد: 20.20×26.40×5.20mm
- دمای کاری: 175+~40-
- برند: On
- کشور سازنده: اتریش
- نوع مونتاژ: DIP
- ویژگی خاص: دیود هرزگرد سریع فرکانس بالا
آی جی بی تی 60N60
IGBTها به طور گسترده در کاربردهای الکترونیک قدرت مانند اینورترها، مبدلها و منابع تغذیه که به قطعات سوئیچینگ حالت جامد نیاز داشته و ماسفتها و BJTها در آنجا کارایی لازم را ندارند، مورد استفاده قرار میگیرند.
ترانزیستورهای دو قطبی ولتاژ بالا و جریان بالا در دسترس هستند، اما سرعت سوئیچینگ آنها پایین است.
از سوی دیگر، اگرچه سرعت سوئیچینگ ماسفتهای قدرت بیشتر است، اما قطعات ولتاژ بالا و جریان بالای آن گران هستند.
ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده، بهره توان بالاتری نسبت به ترانزیستور دو قطبی استاندارد دارد.
همچنین قابلیت عملکرد در ولتاژ بالاتر و تلفات ورودی پایینتر را دارا است. از دیدگاه عملکردی، IGBT یک FET است که با ترانزیستور دو قطبی ترکیب شده و پیکربندی دارلینگتون را تشکیل داده است.
شکل زیر این موضوع را نشان میدهد.
on IGBT 60N60
خرید آی جی بی تی ON IGBT FGH 60N60 SMD
برای خرید آنلاین انواع قطعات الکترونیکی و آی جی بی تی و همچنین اطلاع از آخرین قیمت آی جی بی تی ON IGBT FGH 60N60 SMD میتوانید به فروشگاه اینترنتی ولدپارت مراجعه کنید. این فروشگاه مجموعهای از جدیدترین و به روزترین تجهیزات الکترونیکی موجود در بازار از جمله آی جی بی تی ON را گردآوری کرده است.
مشخصات آی جی بی تی ON IGBT FGH 60N60 SMD
-
ابعاد
20.6×15.6×4.7mm
- گارانتی
-
خانواده
آی جی بی تی
-
سری
IGBT Transistors
-
تعداد پین
۳
-
جریان کاری
60A
-
ولتاژ کاری
600V
-
دمای کاری
55to+175-
-
کشور سازنده
آمریکا
-
وزن کالا (گرم)
7
شما هم درباره این کالا پرسش ثبت کنید